
Sintering သည် အမှုန့်သတ္တုဗေဒ၏ နှလုံးခုန်သံဖြစ်သည်—သတ္တုဖြည်အမှုန့်များသည် ထူထပ်ပြီး လုပ်ဆောင်နိုင်သော အစိတ်အပိုင်းများအဖြစ် ပြောင်းလဲသွားပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ Qingdao အခြေစိုက် စက်ရုံတွင် 2018 ခုနှစ်မှ စတင်၍ ကိုဘော့-နီကယ်နှင့် သံမဏိ အစိတ်အပိုင်းများ 12,000 အသုတ်ကို သုတ်လိမ်းခဲ့သည်။ ကျရှုံးမှုတိုင်းသည် ကျွန်ုပ်တို့အား တစ်စုံတစ်ခု သင်ပေးသည်- အပူချိန် ချဉ်းကပ်လမ်းနှုန်းများသည် AMS 5387 နော်ဇယ်များအတွက် အထွတ်အထိပ်ကြာချိန်ထက် ပိုအရေးကြီးပါသည်။ လေထု သန့်ရှင်းမှုသည် T800 အလွိုင်းပလပ်၏ သမာဓိကို ဖြစ်စေသည် သို့မဟုတ် ကွဲစေသည် ။ နှင့် မီးဖိုဇုန်သတ်မှတ်ခြင်းသည် ပစ္စတင်ပန့်ဆလင်ဒါအိမ်ရာများရှိ အတိုင်းအတာတည်ငြိမ်မှုကို တိုက်ရိုက်အကျိုးသက်ရောက်သည်။ ၎င်းတို့သည် 420 MPa အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော ဟိုက်ဒရောလစ်အဆို့ရှင်များကို ကိုင်တွယ်သည့် စစ်မှန်သောထုတ်လုပ်မှုလိုင်းများမှ သင်ခန်းစာများဖြစ်ပြီး ဆားမှုတ်မှုတ်ချေးများနှင့် နာရီပေါင်း 1,500+ ထိတွေ့ထားသော winch center shaft rollers များဖြစ်သည်။
ဖောက်သည်အများစုသည် သမားရိုးကျ sintering ဆိုသည်မှာ "လေထဲတွင် အပူပေးရုံသာ" ဟု ယူဆကြသည်။ မှားတယ်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ ISO-လိုက်လျောညီထွေရှိသော မီးဖိုများတွင်၊ သမားရိုးကျ sintering ဆိုသည်မှာ ကိန်းရှင်သုံးမျိုး၏ တိကျသောထိန်းချုပ်မှုကို ဆိုလိုသည်- အပူနှုန်း (ပုံမှန်အားဖြင့် 3-5°C/min), အမြင့်ဆုံးအပူချိန် (1120–1280°C၊ stainless steels အတွက် 1320–1380°C) နှင့် နေထိုင်ချိန် (30–90) မိနစ်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် သံမဏိအစိတ်အပိုင်းများနှင့် T800 နှင့် AMS 5387 အတွက် သန့်စင်သော အာဂွန်အတွက် endothermic ဓာတ်ငွေ့ (N₂–H₂ ရောနှော) ကိုအသုံးပြုသည်—အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် အောက်ဆီဂျင် 20 ppm ပင်လျှင် ဖိအားအဆို့ရှင်အလုံပိတ်မျက်နှာပြင်များကို ပျက်စီးစေသော မျက်နှာပြင်အောက်ဆီဂျင်ဓာတ်တိုးခြင်းကို ဖြစ်စေသောကြောင့်ဖြစ်သည်။ ဤနည်းလမ်းသည် သီအိုရီအရ သိပ်သည်းဆ 92-95% ကို ထုတ်ပေးသည်။ ၎င်းသည် ကုန်ကျစရိတ်သက်သာပြီး ထပ်ခါတလဲလဲအသုံးပြုနိုင်သည်—သို့သော်လည်း ပါးလွှာသောနံရံများရှိသော 97% သိပ်သည်းဆ သို့မဟုတ် ရှုပ်ထွေးသော ဂျီသြမေတြီများ လိုအပ်သော အစိတ်အပိုင်းများအတွက် မဟုတ်ပါ။ အရေးပါသော စီးဆင်းမှုလမ်းကြောင်းတွင် သုညအတွင်းပိုင်း porosity လိုအပ်သော ကိုဘော့အလွိုင်း နော်ဇယ်များအတွက် ဤချဉ်းကပ်မှုကို ကျွန်ုပ်တို့ ငြင်းပယ်ပါသည်။
Post-sinter machining မလိုအပ်ဘဲ အပြည့်နီးပါးသိပ်သည်းဆကို ဖောက်သည်များက တောင်းဆိုသောအခါ၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် ဖိအားပေးသောနည်းလမ်းများကို ပြောင်းပါသည်။ Hot Isostatic Pressing (HIP) သည် အပူပေးနေစဉ်အတွင်း 100-200 MPa အာဂွန်ဖိအားကို တူညီစွာ သက်ရောက်သည်—ကျန်နေသော ချွေးပေါက်များကို ဖိပိတ်စေသည်။ ရေအောက် ရေနံနှင့် သဘာဝဓာတ်ငွေ့ ဝန်ဆောင်မှုအတွက် ရည်ရွယ်သည့် AMS 5387 ပန့်အိမ်တိုင်းတွင် HIP ကို အသုံးပြုပါသည်။ ရလဒ်? သိပ်သည်းဆ 99.8%၊ ပင်ပန်းနွမ်းနယ်မှု 15% နှင့် high-cycle applications များတွင် စောစီးစွာ ယိုစိမ့်မှုဖြစ်စေသော micro-shrinkage ချို့ယွင်းချက်များကို ဖယ်ရှားပေးသည်။ Spark Plasma Sintering (SPS) သည် ကွဲပြားစွာ အလုပ်လုပ်သည်- ခုန်နေသော DC လျှပ်စီးကြောင်းသည် အမှုန့်ကျစ်လျစ်သော အမှုန်အမွှားများမှတဆင့် တိုက်ရိုက်ဖြတ်သန်းပြီး အလွန်မြန်သော အပူပေးခြင်း (1000°C/min အထိ) နှင့် စုစုပေါင်း စက်လည်ပတ်ချိန် နည်းပါးသည်။ ရှေ့ပြေးပုံစံ T800 စံမဟုတ်သော အစိတ်အပိုင်းများအတွက် SPS ကို ဂျီသြမေတြီဖြင့် ပေါင်းစပ်တပ်ဆင်ထားသော ချိတ်များပါရှိသော ယူနီဖောင်း HIP အပူဒဏ်ကို တားဆီးပေးသည့် - အချိုးမညီသော ပန့်တက်ဖောင်ဒေးရှင်းများကဲ့သို့ ဂျီသြမေတြီအား အသုံးပြုထားသည်။ နည်းလမ်းနှစ်ခုစလုံးသည် သမားရိုးကျဆေးကြောခြင်းထက် 2.3–3.7× ပိုမိုကုန်ကျသည်—သို့သော် ဝတ်ဆင်မှုမြင့်မားသောအင်ဂျင်နီယာယာဉ်အစိတ်အပိုင်းများအတွက် 68% အပိုင်းအစများကို ဖြတ်တောက်ပါ။
လေထုသည် ဓာတ်တိုးမှုကို ဟန့်တားရုံမျှမက—၎င်းသည် လောင်ကျွမ်းခြင်းတွင် တက်ကြွစွာပါဝင်ပါသည်။ ဟိုက်ဒရိုဂျင်ဆေးသွင်းခြင်းတွင် H₂သည် မျက်နှာပြင်အောက်ဆိုဒ်များကို လျှော့ချပေးပြီး မျက်နှာပြင်ပျံ့နှံ့မှုကို အားပေးသည်။ ဟိုက်ဒရောလစ် ဆိုလီနွိုက် cores များတွင် သံလိုက်စိမ့်ဝင်နိုင်မှု လိုအပ်သော သံသွန်းများ အတွက် ကျွန်ုပ်တို့ အသုံးပြုပါသည်။ ဖုန်စုပ်စက်သည် ဓာတ်ပြုသောဓာတ်ငွေ့အားလုံးကို ဖယ်ရှားပေးသော်လည်း တင်းကျပ်သော အမှုန့်သန့်စင်မှုကို လိုအပ်သည်—အကြွင်းအကျန် ချောဆီများသည် ပြင်းထန်စွာ ရောင်ပြန်ဟပ်ကာ အရည်ကြည်ဖုများကို ဖြစ်စေသည်။ နိုက်ထရိုဂျင်အခြေခံလေထုမှ ကာဗွန်ထုတ်လွှတ်မှုအား အပူချိန်မြင့်မားစွာ ခံနိုင်ရည်အား ကျဆင်းစေမည့် ကိုဘော့အလွိုင်းပလပ်များ အတွက် လေဟာနယ်ကို သိမ်းဆည်းထားပါသည်။ ကလိုရိုက်ပတ်ဝန်းကျင်များနှင့် ထိတွေ့နိုင်သော stainless steel ပန့်ဖောင်ဒေးရှင်းများအတွက်၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် အကောင်းမွန်ဆုံး Cr₂O₃ လျှော့ချမှုကို ရရှိရန်အတွက် ထိန်းချုပ်ထားသော ဟိုက်ဒရိုဂျင် 5% ကို နိုက်ထရိုဂျင်ကို ပေါင်းထည့်ပါသည်။ အချိုးမှားနေပါသလား။ အထွက်နှုန်းတွင် ၀.၃% ဆုံးရှုံးသည်ကို ကျွန်ုပ်တို့တွေ့ခဲ့ရပြီး တစ်သုတ်တွင် ပစ္စည်း ၁၇၂ ကီလိုဂရမ်ကို ငြင်းပယ်ခဲ့သည်။
သိပ်သည်းဆ အရေးကြီးသည်- သို့သော် ၎င်းသည် ပထမဆုံး စစ်ဆေးရေးဂိတ်တစ်ခုသာ ဖြစ်သည်။ Sintering နည်းလမ်းသည် စပါးဖွဲ့စည်းပုံ၊ အဆင့်ခွဲဝေမှုနှင့် ကျန်ရှိသော ဖိစီးမှုကို ညွှန်ကြားသည်။ 17-4PH stainless ၏ သမားရိုးကျ sintering သည် ဖိအား valves များတွင် ပင်ပန်းနွမ်းနယ်မှု ခံနိုင်ရည်ကို ကန့်သတ်သည့် ကြမ်းစေ့များကို ထုတ်ပေးသည်။ HIP-refined microstructures များသည် ကွင်းဆင်းစမ်းသပ်မှုများတွင် 4.2× ဖြင့် ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို တိုးမြှင့်ပေးပါသည်။ မျက်နှာပြင်အချောထည်များလည်း ပြောင်းလဲပါသည်- HIP အစိတ်အပိုင်းများသည် အလုံပိတ်မျက်နှာများတွင် Ra ≤0.4 µm ထိအောင် နောက်ဆုံးကြိတ်ချေမှု 30% လိုအပ်ပါသည်။ Dimensional control သည် အလွန်ကွာခြားသည်—သမားရိုးကျ sintering သည် 12-15% linearly ကျုံ့သွားသည်။ HIP သည် 0.8-1.3% သာ ကျုံ့သွားသဖြင့် 280 မီလီမီတာ အချင်းရှိသော ဆလင်ဒါအိမ်များတွင် ±0.02 မီလီမီတာ ထိန်းထားနိုင်စေပါသည်။ နှင့် အပူမှတ်တမ်းသည် စက်လည်ပတ်နိုင်မှုကို သက်ရောက်သည်- T800 သည် သမရိုးကျအားဖြင့် 18 m/min ဖြင့် စက်များကို သန့်စင်စေသည်။ HIP-treated T800 သည် 8 m/min feed rates နှင့် specialized carbide inserts လိုအပ်ပါသည်။ ပထမဆောင်းပါးစစ်ဆေးပြီးနောက်မဟုတ်ဘဲ အင်ဂျင်နီယာပြန်လည်သုံးသပ်မှုအတွင်း ဤအပေးအယူများကို ကျွန်ုပ်တို့မြေပုံဆွဲပါ။
နားလည်မှု အမှုန့်သတ္တုဗေဒစက်ရုံတွင် sintering အမျိုးအစားများ လုပ်ဆောင်ချက်များသည် လုပ်ငန်းဆိုင်ရာ ရှေ့ပြေးပုံစံများကို မစ်ရှင်အရေးပါသော ထုတ်လုပ်မှုအပိုင်းများနှင့် ခွဲခြားထားသည်။ QINGDAO QIANGSENYUAN TECHNOLOGY CO., LTD. တွင်၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် ပစ္စည်းဒေတာစာရွက်များသာမက အသုံးချရူပဗေဒနှင့် sintering နည်းဗျူဟာနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။ ဟိုက်ဒရောလစ်ဖိအားအဆို့ရှင်များသည် HIP ရရှိသည်။ ထုထည်မြင့်သော သံသွန်းများသည် ဟိုက်ဒရိုဂျင် သန့်စင်ခြင်းကို ရရှိသည်။ သုည porosity တောင်းဆိုသော ကိုဘော့အလွိုင်း နော်ဇယ်များသည် SPS ကို ရရှိသည်။ မှန်ကန်သောရွေးချယ်မှုသည် သင့်ဘတ်ဂျက်မဟုတ်ဘဲ သင့်အပိုင်း၏ပျက်ကွက်မှုမုဒ်ဖြင့် စတင်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် လက်တွေ့ကမ္ဘာ၏ ဖိစီးမှုသံသရာများ၊ သံချေးတက်ခြင်းနှင့် တပ်ဆင်ခြင်း သည်းခံနိုင်မှုတို့ကို ဆန့်ကျင်သည့် ဆုံးဖြတ်ချက်တိုင်းကို ကျွန်ုပ်တို့ အတည်ပြုပါသည်။ တိကျသောစက်မှုအစိတ်အပိုင်းများတွင် sintering သည်အဆင့်မဟုတ်သောကြောင့်ဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် အခြေခံအုတ်မြစ်ဖြစ်သည်။